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Verfahren zum Ausbilden von isolierenden Gebieten eines Halbleiterbauelements (300, 400), wobei das Verfahren umfaßt:–Bereitstellen eines Werkstücks (302, 402), wobei das Werkstück mindestens ein erstes Gebiet (307, 407) und mindestens ein zweites Gebiet (310, 410) aufweist, wobei das mindestens eine erste Gebiet (307, 407) mindestens einen aktiven Bereich für hohe Spannung (308, 408) umfaßt, wobei das zweite Gebiet (310, 410) mindestens einen aktiven Bereich für niedrige Spannung (312, 412) umfaßt, wobei das Werkstück eine obere Oberfläche aufweist;–Strukturieren des ersten Gebiets (307, 407) mit mindestens einem Tiefgraben (314, 414), wobei der Tiefgraben Seitenwände, einen Boden und eine erste Tiefe (d2) im Werkstück aufweist;–Ausbilden einer ersten isolierenden Schicht (316, 416) über den Seitenwänden und dem Boden des mindestens einen Tiefgrabens (314, 414);–Abscheiden eines halbleitenden Materials (318, 418) in dem mindestens einen Tiefgraben (314, 414) über der ersten isolierenden Schicht (316, 416) und danach Ausbilden einer Ausnehmung in dem Tiefgraben, wobei das halbleitende Material (318, 418) bis unter die obere Oberfläche des Werkstücks ausgenommen wird;–danach Maskieren des mindestens einen ersten Gebiets (307, 407) mit einer Maske (320, 420);–Strukturieren des mindestens einen zweiten Gebiets (310, 410) mit mindestens einem Flachgraben (330, 430), wobei der Flachgraben eine zweite Tiefe (h1; d1) im Werkstück aufweist, wobei die zweite Tiefe (h1; d1) kleiner ist als die erste Tiefe (d2);–Entfernen der Maske (320, 420) über dem mindestens einen ersten Gebiet (307, 407);–Abscheiden eines isolierenden Materials (438) in den mindestens einen Flachgraben (330, 430) und in die Ausnehmung im halbleitenden Material (318, 418) des mindestens einen Tiefgrabens (314, 414), wobei sich das isolierende Material (438) selbstjustiert auf das darunterliegende Material des mindestens einen Tiefgrabens (314, 414) ausrichtet, und–Ausbilden mindestens eines aktiven Bereichs für niedrige Spannung (312, 412) im zweiten Gebiet (310, 410).
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