| 摘要 |
Oberflächenschallwellenvorrichtung, umfassend: – ein piezoelektrisches Substrat mit mehreren Rinnen, die in einer Oberseite des Substrats ausgebildet sind; – eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit einem Metall gebildet wird; und – eine SiO2-Schicht, die das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt und eine flache Oberseite aufweist, – wobei die Vorrichtung ein Echo einer Rayleigh-Welle verwendet, die in dem piezoelektrischen Substrat angeregt wird und – wobei das Metall hauptsächlich Al enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und &thetas; (°) von Euler-Winkeln (&phis; = 0° ± 5°, &thetas; = 180° bis 247°, ψ = 0° ± 5°) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in der folgenden Tabelle angegeben sind: ... |
