发光元件及其制造方法

摘要

一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含n型束缚层；p型束缚层；以及有源层，位于n型束缚层与p型束缚层之间，有源层是由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构。于势垒层掺杂p型杂质以增加空穴数目，其中越靠近n型束缚层的势垒层掺杂浓度越低，越靠近p型束缚层的势垒层掺杂浓度越高，以形成具渐变式掺杂浓度的势垒层结构。上述的元件可增加空穴和电子结合的几率，提高发光效率。

主权项

一种发光元件，至少包含：第一电性半导体层；第二电性半导体层；以及有源层，位于该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间，且该有源层是由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成多重量子阱结构，其中该势垒层掺杂p型杂质以增加空穴数目，且该p型杂质的掺杂浓度越靠近该第一电性半导体层浓度越低，越靠近该第二电性半导体层浓度越高，以形成具渐变式掺杂浓度的势垒层结构，其中该第一电性半导体层为n型束缚层，该第二电性半导体层为p型束缚层。