| 发明名称 | 一种磁控溅射用磁场源装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种磁控溅射用磁场源装置，属于溅射镀膜设备技术领域。本实用新型的磁控溅射用磁场源装置，包括至少两个电磁铁，各个所述的电磁铁分别连接供电单元，所述的供电单元连接用于独立控制供电单元向各电磁铁的输出电流的控制单元。本实用新型的磁控溅射用磁场源装置通过控制各电磁铁，保证磁控溅射靶的靶材消耗在空间和时间上的优化，提高磁控溅射靶的成膜性能和靶材利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN203144509U | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201320044870.X | 申请日期 | 2013.01.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 郭会斌;刘晓伟;孙亮;王守坤;朱夏明 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 罗建民;邓伯英 |
| 主权项 | 一种磁控溅射用磁场源装置，其特征在于，所述的磁控溅射用磁场源装置包括至少两个电磁铁，各个所述的电磁铁分别连接供电单元，所述的供电单元连接用于独立控制供电单元向各电磁铁的输出电流的控制单元。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||