| 发明名称 | 集成电路的氢钝化 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种带有钝化捕获层的集成电路，带有在钝化捕获层下面的氢或氘释放层的集成电路，用于形成具有氢或氘释放层的集成电路的方法，以及用于形成具有钝化捕获层的集成电路的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103262223A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201080070608.1 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | G·B·巴瑟姆;S·R·萨默菲尔特;T·S·莫伊兹 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：基底；联接至所述基底的晶体管；联接至所述基底的金属沉积前电介质层；以及覆盖所述金属沉积前电介质层的钝化捕获层。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||