| 发明名称 | 曝光电子束正性抗蚀剂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：清洁衬底表面；脱水烘培；旋涂电子束正性抗蚀剂；前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；电子束曝光；显影得到纳米级掩膜图形。依照本发明的电子束正性抗蚀剂曝光方法，采用简单可靠的物理方法降低了工艺成本，无需采用增粘剂从而避免了其对人体及环境的破坏和污染，此外还避免了抗蚀剂产生裂纹，因此提高了纳米尺度结构及器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103257523A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201210037319.2 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 周华杰;徐秋霞;牛洁斌 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：清洁衬底表面；脱水烘培；旋涂电子束正性抗蚀剂；前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；电子束曝光；显影得到纳米级掩膜图形。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||