| 发明名称 | 具有多个栅极的纳米线场效应器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件(1)，该半导体器件(1)包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，沟道区域(5)被布置在源极区域(3)与漏极区域(4)之间，至少一个栅极电极(6)，该至少一个栅极电极(6)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围沟道区域(5)的至少一部分，以及至少一个应变栅极(7)，该至少一个应变栅极(7)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围纳米线(2)的一段的至少一部分，应变栅极(7)被配置为向纳米线段(8)施加应变，以由此至少促进与源极区域(3)对应的能带相对于与沟道区域(5)对应的能带的改变。 | ||
| 申请公布号 | CN103262243A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201180061235.6 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·F·卡格;K·E·莫塞伦德 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y40/00(2006.01)I;B82Y10/00(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种半导体器件(1)，包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，所述沟道区域(5)被布置在所述源极区域(3)与所述漏极区域(4)之间，至少一个栅极电极(6)，所述至少一个栅极电极(6)相对于所述纳米线(2)被布置为沿周缘包围所述沟道区域(5)的至少一部分，以及至少一个应变栅极(7)，所述至少一个应变栅极(7)相对于所述纳米线(2)被布置为沿周缘包围所述纳米线(2)的一段的至少一部分，所述应变栅极(7)被配置为向所述纳米线段(8)施加应变，以由此至少促进与所述源极区域(3)对应的能带相对于与所述沟道区域(5)对应的能带的改变。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||