半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。

主权项

一种半导体装置，其为栅极偏移结构的半导体装置，包含：一基底；一隔离构造，形成于该基底；一有源区，形成于该基底并实质上邻接该隔离构造；一界面层，形成于该基底上及该隔离构造与该有源区的上方；其特征在于，还包括：一多晶硅层，形成于该界面层上及该隔离构造与该有源区的上方；一沟槽，形成于该隔离构造上方的该多晶硅层中，该沟槽延伸至该界面层；一填充层，沿着该沟槽的轮廓形成，但未填满该沟槽；以及一金属栅极，形成于该沟槽中。