发明名称 |
半导体发光器件 |
摘要 |
提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、第一电极、第二电极层和导电支撑构件。所述多个化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述第一电极形成于所述化合物半导体层下方。所述第二电极层形成于所述化合物半导体层上方。所述第二电极层具有不平坦结构。所述导电支撑构件形成于所述第二电极层上方。 |
申请公布号 |
CN101740698B |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN200910224761.4 |
申请日期 |
2009.11.17 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
朴炯兆 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;王春伟 |
主权项 |
一种半导体发光器件,其包括:多个化合物半导体层,其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;所述多个化合物半导体层下方的第一电极;所述多个化合物半导体层上表面外周周围的透光通道层;所述化合物半导体层上的具有不平坦结构的第二电极层;和所述第二电极层上的导电支撑构件,其中所述透光通道层设置在所述第二导电型半导体层和所述第二电极层之间,其中所述第二电极层的所述不平坦结构设置在所述第二导电型半导体层和所述导电支撑构件之间,以及其中所述第二电极层包括反射层,并且将由所述有源层发射的光反射至所述第一导电型半导体层的表面方向。 |
地址 |
韩国首尔 |