| 摘要 |
Sposób epitaksjalnego wytwarzania grafenu na podlozu z SiC, w atmosferze wodoru, argonu i propanu, charakteryzuje sie tym, ze podczas wzrostu epitaksjalnego cisnienie czastkowe wodoru zmniejsza sie co najmniej do wartosci, przy której osadzanie grafenu dominuje nad trawieniem podloza, przy jednoczesnym zwiekszaniu cisnienia czastkowego propanu.
|
