镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法

摘要

一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1~0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。在980nm激光激发下，晶态样有位于1150nm附近的荧光，非晶态样无荧光，分别代表信息存储的两个状态。本发明荧光相变信息存储材料与传统相变材料的制备过程完全兼容，制备方法简单可控。本发明结合传统相变材料的优点和Ni2+在基质不同相态下荧光效应的巨大差异，可以大大增加相变光存储中两态的对比度。

主权项

一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料，其特征在于该材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1～0.3Ni2+，该材料是通过磁控溅射方法将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅在K9玻璃基片上的膜层，该膜层的厚度为100～250nm。