太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法

摘要

一种太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法。包括步骤有：金属杂质在二氧化硅的溶解度大于在晶体硅中的溶解度，先在800℃左右通氧气在晶体硅表面形成一层二氧化硅薄膜；再升温至1000℃让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中；然后降温至850℃正常方法扩散，通过去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金属杂质，减少金属杂质对少数载流子的复合，达到提高少子寿命的目的。与现有技术比本发明通过较高温度(1000℃)能有效去除金属杂质，减少金属杂质对少数载流子的复合，提高少子寿命，提高短路电流和开路电压，从而提高电池片效率。另外通过磷吸杂方法也能达到去除金属杂质的目的。

主权项

一种太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法，其特征在于含有以下步骤：（1）将太阳能晶体硅放进炉体，将温度升至800℃，通O2气体时间为600秒，在太阳能晶体硅的表面形成二氧化硅薄膜；（2）继续升温至1000℃，时间为900秒，进行高温吸杂，让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中；降温至850℃通磷源，时间为1200秒；（3）携磷，降温至850℃推进，时间为900秒，形成PN结；（4）降温至800℃出炉；（5）去磷硅玻璃，除去杂质；（6）800℃通O2600秒；（7）升温至850℃通源1200秒；（8）850℃推进900秒；（9）降温至800℃出炉；（10）去磷硅玻璃；（11）测试少子寿命。