发明名称 |
硅腐蚀局部终止层制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法,包括:在含硅的衬底中形成双槽结构,双槽结构之间的衬底构成硅基热沉;对双槽结构底部进行垂直离子注入;执行高温激活和扩散工艺,使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区,所述重掺杂区包围硅基热沉的底部,构成硅腐蚀局部终止层。依照本发明的方法,使用垂直离子注入、经高温激活和扩散工艺在双深槽底部间形成闭合重硼掺杂硅区,利用腐蚀溶液对重掺杂硅区的腐蚀速率大幅度下降特性,实现腐蚀溶液腐蚀硅的腐蚀局部终止层,最终实现完整的硅基热沉制备。其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容、并可以自由选择腐蚀终止区、缓解KOH溶液释放工艺中对于硅腐蚀表面粗糙度的要求等。 |
申请公布号 |
CN103241705A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201210024545.7 |
申请日期 |
2012.02.03 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种硅腐蚀局部终止层制作方法,包括:在含硅的衬底中形成双槽结构,双槽结构之间的衬底构成硅基热沉;对双槽结构底部进行垂直离子注入;执行高温激活和扩散工艺,使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区,所述重掺杂区包围硅基热沉的底部,构成硅腐蚀局部终止层。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |