半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体元件；支撑基板；用于密封半导体元件及其周边的绝缘材料层；在绝缘材料层中提供的金属薄膜布线层，其一部分暴露在外表面上；以及在绝缘材料层中提供并电连接到金属薄膜布线层的金属过孔，其中提供多个半导体元件，并且各半导体元件通过绝缘材料层叠以便每个半导体元件的电路表面面向金属薄膜布线层，以及每个半导体元件的电极衬垫被暴露而没有被层叠在其上的半导体元件隐藏，并电连接到金属薄膜布线层。可以更小和更薄的尺寸制造半导体器件，而且通过使得多个半导体芯片成为垂直层叠结构可以减少制造步骤的数目。

主权项

一种半导体器件，包括；半导体元件；支撑基板；绝缘材料层，用于密封所述半导体元件及其周边；金属薄膜布线层，被提供在所述绝缘材料层中，所述金属薄膜布线层的一部分在外表面上暴露；以及金属过孔，被提供在所述绝缘材料层中并电连接到所述金属薄膜布线层，其中提供多个所述半导体元件，并且各半导体元件通过绝缘材料层叠以便每个半导体元件的电路表面面向所述金属薄膜布线层，以及每个半导体元件的电极衬垫被暴露而没有被层叠在其上的所述半导体元件隐藏，并电连接到所述金属薄膜布线层。