| 发明名称 | 用于蚀刻在非易失性存储器中使用的碳纳米管膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了存储器单元和形成这种存储器单元的方法，所述存储器单元包括耦接于基于碳的可逆电阻率-切换材料的操控元件。在具体实施例中，根据本发明的方法蚀刻在衬底上形成的碳纳米管(“CNT”)膜，所述方法包括用掩模层涂覆该衬底，对该掩模层构图并使用基于无氧的化学透过被构图的掩模层蚀刻该CNT膜。还描述了其他方面。 | ||
| 申请公布号 | CN102067292B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200980122308.0 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 阿普里尔·D·施里克;安迪·弗;迈克尔·科尼维基;史蒂文·马克斯韦尔 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种蚀刻在衬底上形成的碳纳米管膜的方法，该方法包括：用掩模层来涂覆所述衬底；对所述掩模层构图；以及使用基于无氧的化学和在50瓦和150瓦之间的衬底偏置功率，透过所构图的掩模层来蚀刻所述碳纳米管膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||