层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器

摘要

本发明能够提供一种层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器。在层叠方向(z)上相邻的导电层(21)的一方所位于而另一方所不位于的部分沿着第1方向进行截断，并且在层叠方向(z)上相邻的导电层(21)的另一方所位于而一方所不位于的部分沿着第2方向进行截断，从而制作具有由在层叠方向(z)上相邻的导电层(21)的一方形成的第1内部电极(25)露出而由在层叠方向(z)上相邻的导电层(21)的另一方形成的第2内部电极(26)未露出的第1端面(24e)及第1侧面(24c)、和第2内部电极(26)露出而第1内部电极(25)未露出的第2端面(24f)及第2侧面(24d)的长方体状的芯片(23)。从而，可制造小型且高容量的层叠陶瓷电容器。

主权项

一种层叠陶瓷电容器的制造方法，具备：准备在表面上形成有沿着第1方向及垂直于所述第1方向的第2方向的矩形状的导电层的陶瓷生片的工序；按照使相邻的所述陶瓷生片的所述导电层分别沿着所述第1及第2方向错开的方式层叠多个所述陶瓷生片来制作母块的工序；和将所述母块，在层叠方向上相邻的所述导电层的一方所位于而另一方所不位于的部分沿着所述第1方向进行截断，并且在层叠方向上相邻的所述导电层的另一方所位于而一方所不位于的部分沿着所述第2方向进行截断，从而制作具有由在所述层叠方向上相邻的所述导电层的一方形成的第1内部电极露出而由在所述层叠方向上相邻的所述导电层的另一方形成的第2内部电极未露出的第1端面及第1侧面、和所述第2内部电极露出而所述第1内部电极未露出的第2端面及第2侧面的长方体状的芯片的工序。