| 发明名称 | 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102339748B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201110340567.X | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黄俊;魏珂;刘果果;樊捷;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度为所述钝化层厚度的85%‑95%；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽；其中，所述钝化层材料为氮化硅，所述钝化层刻蚀粒子为F基等离子体；所述帽层材料为GaN，所述帽层刻蚀粒子为Cl基等离子体。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||