| 发明名称 | 介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法，包括以未去除表面活性剂的介孔二氧化硅为模板、以钨盐为钨源、以所述表面活性剂为碳源，在惰性气体保护下经热处理原位碳化以得到所述介孔WO3/C复合导电材料。本发明的方法巧妙地重复利用了合成介孔二氧化硅模板材料时的表面活性剂，以其作为碳源在惰性气氛保护下经过热处理后被原位碳化，与同时形成的WO3原位复合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN102500360B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201110359857.9 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 崔香枝;施剑林 |
| 分类号 | B01J23/30(2006.01)I;H01M4/90(2006.01)I | 主分类号 | B01J23/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种介孔WO3/C复合导电材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以未去除表面活性剂的介孔二氧化硅为模板、以钨盐为钨源、以所述表面活性剂为碳源，在惰性气体保护下经热处理原位碳化；以及用强酸或强碱水溶液去除二氧化硅以得到所述介孔WO3/C复合导电材料，其中，所得的介孔WO3/C复合导电材料的碳含量为4～30wt%。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||