| 发明名称 | 使用氢阻挡层包封的铁电电容器 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，其包含铁电电容器、下部氢阻挡层（2020）和覆盖的氢阻挡层（2338）。一种形成包含铁电电容器、下部氢阻挡层（2020）和覆盖的氢阻挡层（2338）的集成电路的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103250251A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201080070567.6 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | R·J·阿加沃尔;S·R·萨默菲尔特;G·B·巴瑟姆;T·S·莫伊兹 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种集成电路，其包括：铁电电容器；下部氢阻挡层，其耦合到所述铁电电容器的底表面；以及覆盖的氢阻挡层，其与所述下部氢阻挡层的顶表面的一部分接触。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||