发明名称 |
形成自我对准的套准标记的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种形成自我对准的套准标记的方法,首先提供位在基材上的一第一区域、一第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的主要特征。第一区域界定出一第一边界而第二区域界定出一第二边界。其次,形成一截切掩膜层分别覆盖第一区域与第二区域并同时又裸露主要特征。然后,判定截切掩膜层是否与第一边界或第二边界自我对准,而建立一自我对准套准标记。继续,当截切掩膜层与第一边界或第二边界自我对准时,进行一主要特征的刻蚀步骤将主要特征转移到基材上。 |
申请公布号 |
CN103246156A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201210438277.3 |
申请日期 |
2012.11.06 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
维奈·奈尔;戴维·普拉特;克里斯托弗·侯克;理查德·豪斯利 |
分类号 |
G03F1/42(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/42(2012.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种形成自我对准的套准标记的方法,其特征在于,包含:提供位在一基材上的一第一区域和一第二区域,和位于所述第一区域和所述第二区域之间且位于所述基材上的一主要特征,其中所述第一区域界定出一第一边界,而所述第二区域界定出一第二边界;形成一截切掩膜层以分别覆盖所述第一区域与所述第二区域,其中所述截切掩膜层裸露出所述主要特征;判定所述截切掩膜层是否与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者自我对准,而建立出一自我对准的套准标记;以及当所述截切掩膜层与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一个自我对准时,进行一主要特征的刻蚀步骤将所述主要特征转移至所述基材。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |