发明名称 |
碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法 |
摘要 |
一种碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法。碳化硅层(10)的第一区(11)构成第一表面并且具有第一导电类型。第二区(12)设置在第一区(11)上并且具有第二导电类型。第三区(13)设置在第二区(12)上并且具有第一导电类型。第四区(14)设置在第一区(11)中,所处的位置远离第一表面(F1)和第二区(12)的每个,并且具有第二导电类型。栅绝缘膜(21)设置在第二区(12)上,以便连接第一区(11)和第三区(13)。栅电极(30)设置在栅绝缘膜(21)上。第一电极(31)设置在第一区(11)上。第二电极(32)设置在第三区(13)上。 |
申请公布号 |
CN103247680A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201310010077.2 |
申请日期 |
2013.01.11 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
林秀树;增田健良 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种碳化硅半导体器件(100、100D),包括:碳化硅层(10),其具有在厚度方向上彼此相反的第一表面(F1)和第二表面(F2),所述碳化硅层包括第一区(11)、第二区(12)、第三区(13)和第四区(14),其中所述第一区(11)构成所述第一表面并且具有第一导电类型,所述第二区(12)设置在所述第一区上从而通过所述第一区与所述第一表面隔开,并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,所述第三区(13)设置在所述第二区上,通过所述第二区与所述第一区隔离,并且具有所述第一导电类型,所述第四区(14)设置在所述第一区中,所处的位置远离所述第一表面和所述第二区的每个,并且具有所述第二导电类型,以及栅绝缘膜(21),其设置在所述第二区上,以连接所述第一区和所述第三区,栅电极(30),其设置在所述栅绝缘膜上,第一电极(31),其设置在所述第一区上,以及第二电极(32),其设置在所述第三区上。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |