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发明名称
半导体元件之制法
摘要
一种曝光遮光罩提供一微小图案形成,其藉由防止在一第一图案与一第二图案之间的一间隔中产生浮渣而使半导体元件之高度整合成为可能。该曝光遮光罩包括一第一图案及一邻近于该第一图案之第二图案。一间隔形成于该第一图案与该第二图案之间。该第一图案及该第二图案可各自包括一邻近于该间隔之方波成形边缘。该方波成形边缘包括复数个凹入部分及凸起部分。
申请公布号
TWI405032
申请公布日期
2013.08.11
申请号
TW097126041
申请日期
2008.07.10
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
文载寅
分类号
G03F1/00;H01L21/027
主分类号
G03F1/00
代理机构
代理人
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址
南韩
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