GESTALTEN EINER GRENZFLÄCHE ZUM OPTIMIEREN VON METALL-III-V-KONTAKTEN

摘要

Es werden Techniken zum Herstellen selbstjustierter Kontakte in III-V-FET-Einheiten bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt weist ein Verfahren zum Herstellen eines selbstjustierten Kontakts zu III-V-Materialien die folgenden Schritte auf. Mindestens ein Metall wird auf einer Oberfläche des III-V-Materials abgeschieden. Das mindestens eine Metall wird mit einem oberen Teil des III-V-Materials zur Reaktion gebracht, um eine Metall-III-V-Legierungsschicht zu bilden, die den selbstjustierten Kontakt darstellt. Ein Ätzprozess wird angewendet, um alle bei der Reaktion nicht umgesetzten Teile des mindestens einen Metalls zu entfernen. Mindestens eine Verunreinigung wird in die Metall-III-V-Legierungsschicht implantiert. Die mindestens eine in die Metall-III-V-Legierungsschicht implantierte Verunreinigung wird zu einer Grenzfläche zwischen der Metall-III-V-Legierungsschicht und dem darunterliegenden III-V-Material diffundiert, um einen Kontaktwiderstand des selbstjustierten Kontakts zu verringern.