用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法

摘要

本发明公开了一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，该方法的步骤如下：1）设计光栅图形；2）制作监控片衬底；3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔和四个探针定位孔处用同厚度的光刻胶掩盖住；4）制作监控网版；5）采用监控网版按照电池片制作工艺印刷出监控片；6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔，测试监控片的非掩膜区的方阻；8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤和步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。本发明能够避免测试过程中压到栅线部分造成测试误差现象，并且测试过程快速、便捷，简化了测试流程，节省了测试时间。

主权项

一种用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1）设计光栅图形；2）选择同批次的选择性发射电极电池的基板衬底（1‑3），并在该基板衬底（1‑3）的中心处开定位孔（1‑1），四探针测试仪的四个探针的中心位置以该定位孔（1‑1）的轴心为中心，在该基板衬底（1‑3）上分别形成四个探针相对应的探针区域，在基板衬底（1‑3）的四个探针区域上分别开出探针定位孔（1‑2），形成监控片衬底；3）在监控片衬底上涂光刻胶，并且定位孔（1‑1）和四个探针定位孔（1‑2）处用同厚度的光刻胶掩盖住；4）采用光刻工艺，将设计好的光栅图形定义到涂好光刻胶的监控片衬底上，形成监控网版（1）；5）将监控网版（1）放置在印刷设备上，在监控网版（1）上加入掩膜材料，启动印刷设备，将掩膜材料透过监控网版（1）印刷在硅片上，然后将带有掩膜的硅片烘干，即制出监控片； 6）刻蚀并清洗监控片的非掩膜区；7）采用四探针测试仪，将四个探针插入相应的探针定位孔（1‑2），测试监控片的非掩膜区的方阻；8）根据测试过的方阻结果，调整选择性发射电极电池的清洗参数，并重复步骤6）中的清洗步骤以及步骤7），直至监控片的方阻值达标，从而确定选择性发射电极电池的清洗参数。