| 摘要 |
Silicaglastiegel 1 mit einer Behälterform, wobei eine transparente Schicht 3 an der inneren Peripherie gebildet ist und eine opake Schicht 2 mit einer großen Anzahl an Blasen an der äußeren Peripherie gebildet ist, in den ein polykristallines Siliziummaterial bis in den inneren Raum des Behälters gefüllt, erwärmt und geschmolzen ist, so daß die Siliziumschmelze M angesammelt ist, und ein Silizium-Einkristall durch das Czochralski-Verfahren erzeugt wird, worin eine erste blasenfreie Schicht 10a mit einer Dichte der Blasenzahl von 2/mm3 oder weniger und einer Dicke von 100 bis 450μm an der inneren Peripherieseite einer anfänglichen Schmelzlinienzone 10 gebildet ist, die eine Höhe von 10 bis 30 mm der transparenten Schicht 3 hat, eine blasenhaltige Schicht 10b mit einer Dicke von 100μm oder mehr und mit Blasen mit einem durchschnittlichen Durchmesser von 20 bis 60μm außerhalb der ersten blasenfreien Schicht 10a gebildet ist, und eine zweite blasenfreie Schicht 9, die eine Dichte der Blasenzahl von 2/mm3 oder weniger hat und dicker ist als die erste blasenfreie Schicht 10a, an der inneren Peripherieseite in der transparenten Schicht 3 der gesamten Region gebildet ist, die unterhalb der anfänglichen Schmelzlinienzone 10 liegt. |
