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Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit: Ausbilden eines Bereichs (5, 5R, 5WU, 5TU) an einer Oberfläche eines ersten Halbleitersubstrats (1a), wobei der Bereich (5, 5R, 5WU, 5TU) eine Dielektrizitätskonstante aufweist, welche geringer ist als die des ersten Halbleitersubstrats (1a); Ausbilden einer Isolationsschicht (3) an einer Oberfläche eines zweiten Halbleitersubstrats (2); Befestigen der ersten und zweiten Halbleitersubstrate (1a, 2) derart, dass der Bereich (5, 5R, 5WU, 5TU) an dem ersten Halbleitersubstrat (1a) die Isolationsschicht (3) an dem zweiten Halbleitersubstrat (2) berührt; und Ausbilden eines LDMOS-Transistors (9a) in dem ersten Halbleitersubstrat (1a), wobei der Bereich (5, 5R, 5WU, 5TU) zwischen einer Source und einem Drain des LDMOS-Transistors (9a) angeordnet ist.
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