发明名称 Drahtbonding-Verfahren bei einer Schaltungsvorrichtung
摘要 Drahtbondverfahren in einer Schaltkreisvorrichtung, die auf einem Leiterrahmen (20) angebracht ist, wobei das Drahtbondverfahren umfasst: Zählen einer Stoppzeit, wenn ein Arbeitsablauf einer Kapillare (200) stoppt; Entfernen eines kontaminierten Free-Air-Ball (FAB) (260, 262), der an einem Ende der Kapillare (200) gebildet ist, wenn die Stoppzeit eine Referenzzeit überschreitet; Bilden eines FAB (260, 262); und ein Neustarten eines Drahtbondverfahrens.
申请公布号 DE102012112957(A1) 申请公布日期 2013.08.01
申请号 DE201210112957 申请日期 2012.12.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LEE, JOON-GIL
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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