发明名称 |
TFT-LCD阵列基板及其制造方法、液晶显示器 |
摘要 |
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及制造方法、液晶显示器。该方法包括在第一次构图工艺期间一次形成栅极扫描线和栅极、在与栅极扫描线相交的位置处断裂的数据信号线、公共电极和遮光条;在第二次构图工艺期间,形成用于对断裂的数据信号线进行连接的过孔和在栅极扫描线上形成沟道位置;在第三次构图工艺期间,形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极,其中数据信号线连接线通过过孔将断裂的数据信号线连接起来,以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置,其源极位于数据信号连接线上,其漏极与像素电极为一整体。本发明采用三次掩膜工艺减小了生产周期,降低成本,同时改善了TFT-LCD阵列基板的性能。 |
申请公布号 |
CN103227147A |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201310018504.1 |
申请日期 |
2013.01.17 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
孔祥春;曹占峰 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
罗建民;陈源 |
主权项 |
一种制造TFT‑LCD阵列基板的方法,包括步骤:通过第一次构图工艺,在基板上形成栅极扫描线和栅极、数据信号线和公共电极,其中数据信号线在与栅极扫描线相交的位置断裂;依次形成绝缘层、有源层和欧姆接触层,然后通过第二次构图工艺,形成用于连接在与栅极扫描线相交的位置断裂的数据信号线的数据线连接过孔以及在栅极扫描线上通过刻蚀掉有源层上的欧姆接触层、漏出下面的有源层以形成沟道;以及形成透明导电薄膜,通过第三次构图工艺,形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极,其中数据信号线连接线通过数据信号线连接过孔将断裂的数据信号线连接起来,以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置,其源极位于数据信号连接线上,其漏极与像素电极为一整体。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |