形成超薄可控的金属硅化物的方法

摘要

本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。

主权项

一种形成厚度可控的金属硅化物的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在硅衬底上沉积一薄层金属，该金属向衬底进行扩散；(2)去除衬底表面剩余的金属；(3)进行退火，形成金属硅化物薄层；其中，步骤(1)和步骤(2)重复一次或多次，或者步骤(1)、步骤(2)和步骤(3)重复一次或多次，直到金属硅化物薄层的最终厚度达到预期的要求为止；上述步骤中，硅衬底上沉积的金属为镍、钴、钛或铂；沉积时的衬底温度0～300℃内选择，退火温度为200℃～900℃；金属硅化物层的最终厚度为2～20nm。