发明名称 |
利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜及应用 |
摘要 |
一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜,利用MOCVD技术,以玻璃基片为衬底,以二乙基锌和水为原料,以硼烷作为掺杂气体,在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜;然后同样利用MOCVD技术,在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO,制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜,而后采用正常情况下的掺杂,实现大晶粒尺寸,高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池,尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池,可进一步提高Si薄膜电池的性能。 |
申请公布号 |
CN102168256B |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201110066989.2 |
申请日期 |
2011.03.21 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
陈新亮;耿新华;王斐;闫聪博;张德坤;孙建;魏长春;张建军;张晓丹;赵颖 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜的方法,其特征在于由以下步骤实现:1)利用MOCVD技术,以玻璃基片为衬底,以纯度为99.995%的二乙基锌和水为原料,以硼烷作为掺杂气体,在玻璃基片上生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜,掺杂气体B2H6流量比为0‑0.5%,薄膜厚度为500‑1000nm,基片衬底温度为130‑180℃;2)利用MOCVD技术,以纯度为99.995%的二乙基锌和水作为原料,以硼烷作为掺杂气体,通过在未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜基础上梯度掺杂生长ZnO薄膜,制备玻璃基片/未掺杂B或低掺杂B的ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜,掺杂气体B2H6流量比为0.5%‑1.5%,薄膜厚度为500‑1500nm,基片衬底温度130‑180℃。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |