发明名称 一种量子阱半导体及其制造方法
摘要 本发明提供了一种量子阱半导体及其制造方法。该量子阱半导体包括从内向外依次设置的衬底、浅量子阱层、多量子阱发光层,浅量子阱层包括:至少四个InGaN层,靠近衬底的一个InGaN层为第一InGaN层;GaN层,与InGaN层等数量且交叉叠置,靠近衬底的一个GaN层为第一GaN层,第一GaN层设置在衬底与第一InGaN层之间,且第一InGaN层中In的含量为1.95E+19~2.7E+19cm-3,第一InGaN层之外的各InGaN层中In的含量大于3.0E+19cm-3且沿远离衬底的方向递增。该浅量子阱层可以防止反向电流过大,有利于电子通过降低正向电压,减少芯片工作时发热量,提高发光效率。
申请公布号 CN103227253A 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201310123936.9 申请日期 2013.04.10
申请人 湘能华磊光电股份有限公司 发明人 伍毅龙;谭桂英;王新建
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/06(2010.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明;张永明
主权项 一种量子阱半导体,包括从内向外依次设置的衬底(1)、浅量子阱层(3)、多量子阱发光层(4),其特征在于,所述浅量子阱层(3)包括:至少四个InGaN层(31),靠近所述衬底(1)的一个InGaN层(31)为第一InGaN层;GaN层(32),与所述InGaN层(31)等数量且交叉叠置,靠近所述衬底(1)的一个GaN层(32)为第一GaN层,所述第一GaN层设置在所述衬底(1)与所述第一InGaN层之间,且所述第一InGaN层中所述In的含量为1.95E+19~2.7E+19cm‑3,所述第一InGaN层之外的各所述InGaN层(31)中In的含量大于3.0E+19cm‑3且沿远离所述衬底(1)的方向递增。
地址 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园