| 发明名称 | 去耦FINFET电容器 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。该鳍式电容器还可以包括位于一个或多个导电体和下面的半导体材料之间的绝缘材料。本发明提供了去耦FinFET电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN103227210A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201210473705.6 | 申请日期 | 2012.11.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈重辉 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有多个鳍式场效应晶体管(FinFET)和多个鳍式电容器，其中，所述多个鳍式电容器中的每一个都包括：多个硅鳍片；导电体，位于两个邻近的硅鳍片之间并且与所述两个邻近的硅鳍片平行；以及第一绝缘材料，位于所述硅鳍片和所述导电体之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||