| 发明名称 | 增加击穿防护电压的横向扩散金属氧化物半导体元件与制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种增加击穿防护电压的横向扩散金属氧化物半导体元件与制作方法。该增加击穿防护电压的横向扩散金属氧化物半导体元件包括：基板；位于该基板内部的第一导电型井区；位于该基板中的隔离区；位于该井区内部的第二导电型本体区；位于该本体区内部的源极；位于该井区内部的漏极；位于该基板表面上的栅极结构；以及位于该本体区下方的第一导电型掺杂区，以增加击穿防护电压；其中该第一导电型掺杂区与该本体区由一相同光罩图案所定义。 | ||
| 申请公布号 | CN102148247B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201010113191.4 | 申请日期 | 2010.02.04 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 黄宗义;朱焕平;杨清尧;苏宏德 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种增加击穿防护电压的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：一基板；位于该基板内部的一第一导电型井区；位于该基板中的隔离区；位于该井区内部的一第二导电型本体区；位于该本体区内部的一源极；位于该井区内部的一漏极；位于该基板表面上的一栅极结构；以及位于该本体区下方的一第一导电型掺杂区，以增加击穿防护电压；其中该第一导电型掺杂区与该本体区由一相同光罩图案所定义，且该基板为具有一磊晶层的一半导体基板，且该第一导电型掺杂区为一埋层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市 | ||