发明名称 一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备
摘要 本实用新型公开了一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备,所述设备包括沉积室以及与所述沉积室相连的供气装置和抽真空装置,所述沉积室上设有多个进气口,各个进气口通过角阀与所述供气装置连通,其中,所述沉积室包括:下部腔体和可拆卸的上部腔体,所述上部腔体与下部腔体通过卡环加氟橡胶圈密封;支架,所述支架从所述沉积室的下部腔体延伸至上部腔体,并且在所述支架上设有基片加热装置。本实用新型具备体积小,构造简单、造价低廉的优点,可制备如石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜,有助于实现二维纳米薄膜的生产,促进二维纳米薄膜的应用。
申请公布号 CN203096166U 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201320064809.1 申请日期 2013.01.31
申请人 杭州五源科技实业有限公司 发明人 马利红;曾永远;李翀
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人 郑青松
主权项 一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备,其特征在于,所述设备包括沉积室以及与所述沉积室相连的供气装置和抽真空装置,所述沉积室上设有多个进气口,各个进气口通过角阀与所述供气装置连通,其中,所述沉积室包括:下部腔体和可拆卸的上部腔体,所述上部腔体与下部腔体通过卡环加氟橡胶圈密封;支架,所述支架从所述沉积室的下部腔体延伸至上部腔体,并且在所述支架上设有基片加热装置。
地址 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园六路3号