硅圆片通孔金属填充工艺

摘要

一种硅圆片通孔金属填充工艺，其特征在于所述硅圆片通孔内通过电镀金属，并通过热处理工艺在硅圆片上的通孔内形成填充金属，工艺步骤为：在硅圆片上刻蚀孔；在硅圆片表面形成一层绝缘层；在绝缘层表面溅射一层粘附层、阻挡层、种子层；采用光刻工艺暴露出孔；经电镀在孔内壁形成金属；利用光刻胶保护通孔填充金属部分，去除圆片表面的种子层和粘附层；在惰性气体的保护下进行热处理，形成通孔内填充金属。本发明的优点是工艺简单、具有高电导率、高可靠性的硅圆片通孔金属填充的方法，为硅通孔(TSV)技术提供了一条新的解决方案。

主权项

一种硅圆片通孔金属填充工艺，其特征在于所述硅圆片通孔内通过电镀金属Sn或Sn合金，或者经多次电镀Sn及其合金金属，并通过热处理工艺在硅圆片上的通孔内形成填充金属，填充工艺步骤如下：(1)在硅圆片上刻蚀深孔；(2)在硅圆片表面形成一层绝缘层；(3)在绝缘层表面溅射一层粘附层、阻挡层、种子层；(4)采用光刻工艺暴露出通孔，并利用光刻胶保护硅圆片的其余部分；(5)通过电镀工艺在孔内经一次或者多次电镀金属Sn或Sn合金金属；(6)利用光刻胶保护通孔填充金属部分，利用腐蚀工艺去除硅圆片表面的粘附层，阻挡层和种子层；(7)在惰性气体的保护下，进行热处理，最终形成硅圆片通孔内的填充金属。