| 发明名称 | 一种增强型N沟道绝缘栅场效应管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。通过上述方式，本发明提供的一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，制造工艺比较简单，使用灵活方便，有利于高度集成化。 | ||
| 申请公布号 | CN103219383A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310100037.7 | 申请日期 | 2013.03.27 |
| 申请人 | 林伟良 | 发明人 | 林伟良 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人 | 刘述生 |
| 主权项 | 一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。 | ||
| 地址 | 213000 江苏省常州市武进区礼河长汀村 | ||