发明名称 一种TSV背面漏孔的封装结构及方法
摘要 本发明涉及一种TSV背面漏孔的封装结构及方法,其包括衬底,衬底内设有贯通的信号连接通孔与工艺监控通孔,所述信号连接通孔的侧壁及工艺监控通孔的侧壁均覆盖有绝缘层,且所述绝缘层覆盖衬底的第一主面;信号连接通孔内填充有信号连接导体,工艺监控通孔内填充有监控填充体;衬底的第一主面上设置用于与信号连接导体电连接的第一连接导体,衬底的第二主面上设置与信号连接导体电连接的第二连接导体,且第二连接导体通过信号连接导体与第一连接导体电连接;第二连接导体与衬底绝缘隔离,第一连接导体通过绝缘层与衬底绝缘隔离。本发明结构紧凑,工艺步骤简单,避免金属污染,加工精度高,适应范围广,安全可靠。
申请公布号 CN103219303A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310106597.3 申请日期 2013.03.28
申请人 江苏物联网研究发展中心 发明人 于大全;薛恺
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 殷红梅
主权项 一种TSV背面漏孔的封装结构,包括衬底(1),所述衬底(1)具有第一主面及与所述第一主面对应的第二主面;其特征是:衬底(1)内设有贯通所述衬底(1)的信号连接通孔与工艺监控通孔,所述信号连接通孔的侧壁及工艺监控通孔的侧壁均覆盖有绝缘层(4),且所述绝缘层(4)覆盖衬底(1)的第一主面;信号连接通孔内填充有信号连接导体(8),工艺监控通孔内填充有监控导体(7);衬底(1)的第一主面上设置用于与信号连接导体(8)电连接的第一连接导体(10),衬底(1)的第二主面上设置与信号连接导体(8)电连接的第二连接导体(15),且第二连接导体(15)通过信号连接导体(8)与第一连接导体(10)电连接;第二连接导体(15)与衬底(1)绝缘隔离,第一连接导体(10)通过绝缘层(4)与衬底(1)绝缘隔离。
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼