发明名称 静电惯性约束型无靶中子管
摘要 本发明属于可关断中子源,具体涉及一种静电惯性约束型无靶中子管。本发明利用静电惯性约束的原理设计而成,新型中子管,由密闭球形金属腔,球形腔中心处放置一个鼠笼形的金属电极,以及储存器密封于一起构成。储存器加热放出氘氚混合气体,当鼠笼形金属电极加上数10KV—100KV的负高压时,在腔体内产生氘(D)、氚(T)的离子,且中心区域离子密度最高。氘氚离子在腔内被电场加速奔向中心区域,穿过中心区域靠惯性继续前行,当速度降为零时折返回,如此往复运动,在中心区域氘氚离子发生碰撞而产生中子。这种结构的中子管,其寿命和稳定性指标得到明显改善。在相同中子产额下,寿命比PIG源中子管提高大约1个数量级。
申请公布号 CN103220875A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310091913.4 申请日期 2013.03.21
申请人 东北师范大学 发明人 乔双
分类号 H05H3/06(2006.01)I;H01J27/04(2006.01)I 主分类号 H05H3/06(2006.01)I
代理机构 长春市东师专利事务所 22202 代理人 刘延军;李荣武
主权项 静电惯性约束型无靶中子管,其特征是整体是同心球形结构,把储存器(6)、鼠笼金属电极(3)密封在不锈钢球形腔内,金属腔外是冷却机构,构成一只结构简单紧凑的电真空器件,负高压电极(1)和陶瓷绝缘棒(2)封接在一起,负高压电极(1)的另一端与鼠笼形金属电极(3)焊接;陶瓷绝缘棒(2)与不锈钢球形腔壁(10)及不锈钢金属壳(11)封接在一起,鼠笼形金属电极(3)与不锈钢球形腔壁(10)同心;储存器电极(4)和无氧铜管(5)封接在法兰盘上,储存器电极(4)的另一端与储存器(6)焊接在一起,储存器(6)的另一端焊接在法兰盘上,法兰盘通过真空密封圈装在中子管上,通过无氧铜管(5)充氘分氚后掐断无氧铜管(5)并密封;在不锈钢金属壳(11)外焊接上地电极(13),从中子输出口8输出中子,冷却液(9)由冷却液流入口(12)流入,从冷却液流出口(7)流出。
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