三维集成电路结构

摘要

本发明提供一种具有改进的电源与热管理的三维(3D)集成电路(IC)结构。此三维IC结构包含至少一第一与第二晶粒。第一与第二晶粒中的每一晶粒均具有至少一电源穿透硅介层窗(TSV)与一信号TSV。第一晶粒的电源TSV与信号TSV分别连接至第二晶粒的电源TSV与信号TSV。而第一外围TSV结构则邻近地设置在第一晶粒及/或第二晶粒的一个或多个侧边。三维IC结构亦包含一个或多个外围TSV结构，其中外围TSV结构邻近地设置在第一及/或第二晶粒的一个或多个侧边。外围TSV结构至少提供电源及/或信号。

主权项

一种三维集成电路结构，其特征在于，包含：至少一第一晶粒与一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒均具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，该电源穿透硅介层窗与该信号穿透硅介层窗的每一者均设有一凸块，该第一晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗分别连接至该第二晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗；一或多个第一外围穿透硅介层窗结构，邻近地设置在该第一晶粒及/或该第二晶粒的一或多个侧边，其中该或该些第一外围穿透硅介层窗结构是设置以环绕该第一晶粒及/或该第二晶粒，每一该或该些第一外围穿透硅介层窗结构均设有一凸块；以及一中介层，设置在该第一晶粒的该电源穿透硅介层窗的该凸块与该第二晶粒的该电源穿透硅介层窗的该凸块之间，及在该第一晶粒的该信号穿透硅介层窗的该凸块与该第二晶粒的该信号穿透硅介层窗的该凸块之间，及/或在环绕该第一晶粒的该或该些第一外围穿透硅介层窗结构的该凸块与环绕该第二晶粒的该或该些第一外围穿透硅介层窗结构的该凸块之间。