| 发明名称 | 薄膜晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法。所述薄膜晶体管结构包括基材、栅极、栅极绝缘层、源极连接层、漏极连接层、源极、漏极及半导体层。其中，半导体层不直接接触源极与漏极，乃是通过源极连接层及漏极连接层分别与源极和漏极连接，以解决薄膜晶体管组件劣化及效能降低等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103219387A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201210355569.0 | 申请日期 | 2012.09.21 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 王裕霖;叶佳俊;蔡学宏;王旨玄;辛哲宏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管结构，包括：基材；栅极，设置于该基材上；栅极绝缘层，覆盖于该栅极及该基材上；源极连接层及漏极连接层，设置于该栅极绝缘层上且彼此不接触；源极，设置于该源极连接层及该栅极绝缘层上；漏极，设置于该漏极连接层及该栅极绝缘层上；以及半导体层，设置于该栅极绝缘层上并连接该源极连接层及该漏极连接层，且不接触该源极与该漏极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||