| 发明名称 | 一种基于马赫曾德干涉的光纤传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于的马赫曾德干涉的光纤传感器，包括第一单模光纤、第二单模光纤和第三光模光纤，所述第一单模光纤与第二单模光纤通过超陡锥熔接点连接，所述第二单模光纤与第三单模光纤通过横向偏移熔接点连接；在所述超陡锥熔接点处，第一、第二单模光纤的纤芯同轴熔接，第一、第二单模光纤的包层呈超陡锥熔接，在所述横向偏移熔接点处，第二单模光纤与第三单模光纤的纤芯、包层横向偏移熔接，所述横向偏移量为4～6μm；所述第二单模光纤的长度为5mm～10cm。本发明能同时测量曲率和温度，且结构简单、易于制作、成本低廉，适于大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103217124A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310090434.0 | 申请日期 | 2013.03.20 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 毛莉莉;鲁平;劳泽锋;刘德明 |
| 分类号 | G01B11/24(2006.01)I;G01K11/32(2006.01)I | 主分类号 | G01B11/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 周发军 |
| 主权项 | 一种基于的马赫曾德干涉的光纤传感器，其特征在于，包括第一单模光纤、第二单模光纤和第三光模光纤，所述第一单模光纤与第二单模光纤通过超陡锥熔接点连接，所述第二单模光纤与第三单模光纤通过横向偏移熔接点连接；在所述超陡锥熔接点处，第一、第二单模光纤的纤芯同轴熔接，第一、第二单模光纤的包层呈超陡锥熔接；在所述横向偏移熔接点处，第二单模光纤与第三单模光纤的纤芯、包层横向偏移熔接，所述横向偏移量为4～6μm；所述第二单模光纤的长度为5mm～10cm。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||