一种LED以及侧壁图形化的LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种LED以及侧壁图形化的LED芯片，该LED芯片包括堆栈结构、N电极和P电极，堆栈结构包括衬底、位于衬底之上的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、透明导电层，N电极位于N型氮化镓层之上，P电极位于透明导电层之上，其中，堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。采用本实用新型可使更多从侧壁出射到外界的光线的入射角小于全反射临界角而出射至外界，大大提高了LED芯片侧壁的光提取效率，从而提高LED芯片的出光效率。

主权项

一种侧壁图形化的LED芯片，包括堆栈结构、N电极和P电极，所述N电极和P电极设置在堆栈结构上，其特征在于，堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。