| 发明名称 | 半导体装置和用于制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括电容器，该电容器包括：第一导电型的第一半导体区；布置在第一半导体区上的、第一导电型的第二半导体区，第二半导体区具有比第一半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第二半导体区上的、第一导电型的第三半导体区，第三半导体区包括接触区并且具有比第二半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第三半导体区上的介电膜；以及在接触区旁的、布置在介电膜上的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103219337A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201210549401.3 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 石塚刚;田代浩子 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 朱胜;李春晖 |
| 主权项 | 一种包括电容器的半导体装置，所述电容器包括：第一导电型的第一半导体区；布置在所述第一半导体区上的、所述第一导电型的第二半导体区，所述第二半导体区具有比所述第一半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在所述第二半导体区上的、所述第一导电型的第三半导体区，所述第三半导体区包括接触区并且具有比所述第二半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在所述第三半导体区上的介电膜；以及在所述接触区旁的、布置在所述介电膜上的上电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||