| 发明名称 | 改进的同步多离子注入工艺及使用该工艺制作的装置半导体结构 | ||
| 摘要 | 方法和装置提供了下列：第一等离子体的源，即第一等离子体（152A），包括第一种类的离子，沿着第一轴引导第一等离子体出去；第二等离子体的源，即第二等离子体（152B），包括不同的第二种类的离子，沿着第二轴引导第二等离子体出去；以及与第一和第二等离子体的源相通的加速器系统（170），并操作用于：(i)以第一大小加速第一种类的离子使其通过并朝向半导体晶片，且(ii)同时以不同于第一大小的第二大小加速第二种类的离子使其通过并朝向该半导体晶片（120）。 | ||
| 申请公布号 | CN103222028A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201180055468.5 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | S·切瑞克德简 |
| 分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种用于注入两个种类的离子的装置，包括：第一等离子体的源，即第一等离子体，所述第一等离子体包括第一种类的离子；第二等离子体的源，即第二等离子体，所述第二等离子体包括不同的第二种类的离子；以及与所述第一和第二等离子体的源相通的加速器系统，并操作用于：(i)以第一大小沿着第一轴加速所述第一种类的离子使其通过并朝向半导体晶片，且(ii)同时以不同于所述第一大小的第二大小沿着第二轴加速所述第二种类的离子使其通过并朝向该半导体晶片。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||