移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件

摘要

本发明提供移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件，涉及显示器制造领域，能够在不影响电路稳定性的情况下减少去噪声晶体管的偏置电压作用时间，进而延长器件使用寿命。一种移位寄存器包括：一电容，一第一晶体管，一第二晶体管，一第三晶体管，一第四晶体管，一第五晶体管，一第六晶体管，一去噪控制模块。本发明用于显示器的制造。

主权项

一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：一电容，具有两极，其中第一极与输出端连接；第一晶体管，该第一晶体管的栅极与源极分别连接信号输入端，该第一晶体管的漏极连接所述电容的第二极；第二晶体管，该第二晶体管的栅极连接复位端，该第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极，该第二晶体管的漏极连接低电平端；第三晶体管，该第三晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，该第三晶体管的源极连接第一时钟信号输入端，该第三晶体管的漏极连接所述输出端；第四晶体管，该第四晶体管的栅极连接所述复位端，该第四晶体管的源极连接所述输出端，该第四晶体管的漏极连接所述低电平端；第五晶体管，该第五晶体管的源极连接所述第二晶体管的源极，该第五晶体管的漏极连接所述低电平端；第六晶体管，该第六晶体管的栅极连接所述第五晶体管的栅极，该第六晶体管的源极连接所述第四晶体管的源极，该第六晶体管的漏极连接所述第四晶体管的漏极；去噪控制模块，该去噪控制模块的第一反馈端连接所述输出端、该去噪控制模块的低电平输入端记为第二输入端连接所述低电平端、该去噪控制模块的去噪声控制端连接所述第五晶体管的栅极、该去噪控制模块的高电平输入端记为第三输入端连接所述第一时钟信号端或高电平端；其中，所述第五晶体管和第六晶体管用于在所述去噪控制模块的去噪声控制端为高电平时导通，在所述去噪控制模块的去噪声控制端为低电平时截止，从而实现在有噪声电压时所述第五晶体管和第六晶体管导通，通过低电平端将噪声电压拉低；无噪声电压时所述第五晶体管和第六晶体管截止，不影响所述移位寄存器单元的正常工作。