锗硅HBT的埋层形成方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT的埋层形成方法，将光刻胶的曝光分为两次。第一次曝光聚焦于光刻胶接近表面的部分，形成主要图形。第二次曝光聚焦于光刻胶接近衬底的部分，对主要图形的底部进行附加曝光。从而使光刻胶底部形成的实际尺寸尽可能接近设计尺寸。

主权项

一种锗硅HBT的埋层形成方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，采用光刻和刻蚀工艺在硅片上刻蚀出两个沟槽，两个沟槽之间的硅片的上方被硬掩膜层所覆盖；第2步，在硅片上旋涂光刻胶；第3步，设置数值孔径为0.52～0.82，相干系数为0.3～0.9，焦距为‑0.1～0.1μm，曝光能量为5～100mJ/cm2，对光刻胶进行第一次曝光，此时不显影；第4步，硅片不离开光刻机平台，掩膜版不离开掩膜版平台，设置数值孔径为0.52～0.82，相干系数为0.3～0.9，焦距为90%的所述沟槽深度～110%的所述沟槽深度，曝光能量为第一次曝光能量的50%～200%，对光刻胶进行第二次曝光，然后显影；此时形成了两个埋层离子注入窗口，每个埋层离子注入窗口都是由光刻胶和沟槽的一侧侧壁共同形成的；第5步，在这两个埋层离子注入窗口的底部的硅片进行离子注入，形成两个独立的埋层；第6步，通过退火工艺使这两个独立的埋层相连且使其中的杂质扩散分布均匀。