| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、及p型半导体层；在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；及形成多个电极；通过前述粗糙化处理，可降低光全内反射与提升发光二极管发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103219433A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201210018799.8 | 申请日期 | 2012.01.20 |
| 申请人 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 李家铭;叶念慈;张翔思;吕坤圃;陈晋毅 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 一种发光二极管的制造方法，包括：在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层；在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；和形成多个电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾南投县 | ||