发明名称 CMOS图像传感器像素时序控制方法
摘要 本发明涉及金属互补氧化物半导体图像传感器。为提供一种扩大CMOS图像传感器动态范围的方法,同时简便可行,本发明采取的技术方案是,一种CMOS图像传感器像素时序控制方法,借助于滚筒式曝光CMOS图像传感器实现,传感器第一行像素曝光结束后进入读出阶段,此时第二行像素仍处于曝光期间,当第一行像素读出完成,经一个时间上的延迟错位,第二行进入读出阶段,依次类推;在一帧的时间内进行多次曝光和读出,每次曝光的时间长短不一致,从而输出多个不同曝光时间的图像信息;每次读出的时间相同。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。
申请公布号 CN102629995B 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201210088227.7 申请日期 2012.03.29
申请人 天津大学 发明人 徐江涛;高志远;姚素英;高静;徐超;王彬;韩立镪
分类号 H04N5/355(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I;H04N5/374(2011.01)I 主分类号 H04N5/355(2011.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种CMOS图像传感器像素时序控制方法,借助于滚筒式曝光CMOS图像传感器实现,传感器第一行像素曝光结束后进入读出阶段,此时第二行像素仍处于曝光期间,其特征是,当第一行像素读出完成,经一个时间上的延迟错位,第二行进入读出阶段,依次类推;在一帧的时间内进行多次曝光和读出,每次曝光的时间长短不一致,从而输出多个不同曝光时间的图像信息;每次读出的时间相同;其中:一帧的时间为TF,像素读出一次的时间为TR,一帧输出的信号个数为M,像素单元阵列的行数为N,TR=TF/(N*M);最长的曝光时间为T1,次长的曝光时间为T2,其余的按照时间长短依次命名,T1=k1*M*TR,T2=k2*M*TR,……,TM=kM*M*TR,k1~kM都是整数;一帧的时间TF由T1、T2、……、TM和M个TR组成,那么k1+k2+……+kM+1=N;首先进行时间为T1的曝光,接着用TR时间对该曝光得到的曝光信号进行读出;然后进行时间为T2的曝光,接着用TR时间对该曝光得到的曝光信号进行读出;以此类推,最后进行时间为TM的曝光,接着用TR时间对该曝光得到的曝光信号进行读出。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号