| 发明名称 | 基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法，在IBAD-MgO金属基带上，采用经简化了的单层CeO2隔离层结构代替复杂的LaMnO3/MgO、CeO2/MgO和CeO2/LaMnO3双层复合隔离层结构，简化了复合隔离层结构，减少了隔离层层数，大大降低了镀膜成本，工艺可重复性和可靠性高，所得薄膜的质量高、表面光滑、致密性好、结合力强，所得薄膜的颗粒大小均匀可控。 | ||
| 申请公布号 | CN103215546A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310176921.9 | 申请日期 | 2013.05.14 |
| 申请人 | 上海超导科技股份有限公司 | 发明人 | 李贻杰;刘林飞;肖桂娜 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张妍 |
| 主权项 | 一种基于IBAD‑MgO金属基带的简化隔离层，该简化隔离层沉积在IBAD‑MgO金属基带上，其特征在于，该简化隔离层为单层CeO2隔离层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区芳春路400号1幢3层301-15 | ||