于单一积体电路晶粒上使用不同闸氧化物厚度以实施多重积体电路之装置

摘要

本发明描述一种包含复数个功能积体电路区块之装置，每一功能积体电路区块系用不同氧化物厚度制造于一单体积体电路晶粒上。针对不同功能积体电路区块使用不同闸氧化物厚度提供经减少之功率消耗且增大处理系统中之效能。本发明呈现包含包括若干处理器核心及若干记忆体元件之若干功能积体电路区块之不同组合的若干实施例。